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株式会社大阪ケミカル・マーケティング・センターはマーケットリサーチを専門とする1962年設立の実績ある会社です。

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〒543-0001 大阪市天王寺区上本町6-7-21-502

 Vol.3 No.345 超精密研磨の加工技術&半導体

 2026年3月刊行  定価:80,000円(税込み88,000円)      B5判 170ページ
    
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<刊行のねらい> 先端技術で広がる半導体の研磨市場

  1. 世界の半導体市場規模(WSTS)は2024年に6,305億ドルとなり、19.7%の高い伸び率を示した。25年は7,722億ドルで22.5%の増加とみられており、 26年は9,755億ドルで26.3%の増加と予想されている。この高い成長率をもたらしているのはAIサーバーの急増であり、AI向け半導体を販売して いるエヌビディア社は絶好調である。その一方で、車載用SiCパワー半導体が失速し、大手のウルフスピード社は経営破綻した。半導体市場は 目まぐるしく変動しているが、AI関連の成長は力強く、今後も半導体市場を牽引していくであろう。
  2. 半導体の製造工程には様々な研磨プロセスがあり、しかも加工の機会が増えている。マスクブランクス、ウエハ、デバイス、バックグラインドなどの 研磨は定着しており、さらに先端パッケージングにおけるチップの多層化や高密度配線に伴う基板、配線のCMP加工が増えている。このためCMPスラリー ・パッドの需要が増加し、ラッピング、ポリシングの資材も拡大している。研磨材の需要は、チップの生産増加やパッケージング技術の開発によって 今後も増加していくと予想される。
  3. 当センターはこれまでに超精密研磨材のレポートをいくつか刊行し、いずれも好評を博してきた。本レポートは需要が大きく拡大している半導体を 対象に、ラッピング、ポリシング、CMPの技術動向、パッド・スラリーの製品開発や市場動向を精査し、それらの最新動向を整理、編纂したものである。

<目  次>                       見本ページ

1. 世界の半導体マーケット
 1−1 半導体市場の最新動向
  1−1−1 AIが牽引する半導体市場
  1−1−2 EVの停滞とSiCパワー半導体の失速
  1−1−3 前工程から後工程へ移る先端技術
  1−1−4 半導体をめぐる各国の経済安全保障
    @米国 A中国 BEU C台湾 D韓国
 1−2 半導体の最新マーケット動向
  1−2−1 世界の半導体マーケット
   (1) 半導体の市場規模と予測(製品別、地域別)
   (2) 半導体製造装置の販売額推移
    @国・地域別販売額 A装置メーカーのシェア
   (3) 半導体材料の販売額推移
    @ウエハプロセス材料 Aパッケージング材料
  1−2−2 日本の半導体素子生産量・生産額
    @シリコンダイオード A整流素子
    Bトランジスタ(シリコン、IGBT、電界効果型)
    Cサーミスタ Dバリスタ Eサイリスタ
  1−2−3 半導体各社の競合と市場シェア
    @半導体各社の売上高(2023〜25年)
     1)エヌビディア社 2)サムスン電子
     3)SKハイニクス 4)ブロードコム社
     5)インテル社 6)マイクロン社
     7)クアルコム社 8)AMD社 9)その他
    A製品別のメーカーシェア
     1)ロジック(プロセッサ、マイコン)
     2)メモリ(DRAM、NAND、HBM)
     3)アナログ(パワー、イメージセンサ、他)
  1−2−4 ファウンドリー各社の市場シェア
    @TSMC社 Aサムスン BSMIC社
    CUMC社 Dグローバルファウンドリーズ社、他
  1−2−5 半導体の製造工程・材料と日系企業
   (1) 各工程の参入企業
   (2) 日本の半導体産業戦略
 1−3 半導体用シリコンウエハの市場動向
  1−3−1 世界のシリコンウエハ出荷量、販売額
  1−3−2 シリコンウエハのメーカー動向
    @信越化学工業 ASKシルトロン
    BSUMCO Cシルトロニック社
    Dグローバルウエハーズ社 Eその他
  1−3−3 テストウエハと再生ウエハ
 1−4 パワー半導体のマーケット動向
  1−4−1 パワー半導体の種類と応用分野
    @IGBT AMOSFET BGOT Cその他
  1−4−2 パワー半導体の材料と需要動向
    @シリコン ASiC BGaN Cその他
  1−4−3 パワー半導体のメーカー動向
    @インフィニオン社 Aオンセミ社 BSTM社
    Cウルフスピード社 Dローム Eその他
  1−4−4 パワー半導体の現状と展望
   (1) EV市場の失速と中国企業の台頭
   (2) SiCパワー半導体の業界再編成
   (3) AIサーバー向けパワー半導体の成長
 1−5 半導体の新技術と製品開発
  1−5−1 ロジック半導体の回路微細化
    @EUV露光 AArF液浸 BKrF Cその他
  1−5−2 三次元実装の技術革新
    @積層型IC A2.5実装 B3D実装
2. 超精密研磨の技術と研磨材の開発
 2−1 研磨の方式と種類
    @固定砥粒研磨 A遊離砥粒研磨 B流体研磨
 2−2 固定砥粒研磨の種類と製品
  2−2−1 固定砥粒研磨材の製品と材料
    @研磨布紙 A不織布研磨材 Bバフ研磨、他
  2−2−2 研磨フィルムの製品展開
   (1) 研磨フィルムの構造と仕様
   (2) 研磨フィルムの精度と位置づけ
   (3) 研磨フィルムの研磨方式と用途
 2−3 遊離砥粒研磨の種類と材料
  2−3−1 遊離砥粒研磨の原理と精度
    @ラッピング Aポリシング BCMP
  2−3−2 ラッピングのメカニズムと資材
   (1) ラッピングの研磨機構(乾式、湿式)
   (2) 工具・砥粒の種類と加工
  2−3−3 ポリシングの資材と研磨機構
   (1) ポリシングの研磨メカニズム
   (2) 加工変質層と超精密研磨
   (3) ポリシングの資材
  2−3−4 ラッピング、ポリシングの砥粒と被研磨物
  2−3−5 遊離砥粒研磨の課題
 2−4 遊離砥粒研磨のパッドと製品開発
  2−4−1 ポリシング工程とパッドの種類
    @PU発泡体 A人工スエード
    BPU含浸不織布
  2−4−2 パッドの機能と製品開発
   (1) ウレタン含侵不織布
   (2) スエードパッド
    @パッドの構造 A発泡層の形状 B用途展開
   (3) 発泡ポリウレタンパッド
   (4) 砥粒含有パッド
   (5) 発泡エポキシパッド
   (6) 塩化ビニル多孔質パッド
 2−5 半導体製造プロセスとCMP
  2−5−1 CMPの基本構成とメカニズム
   (1) CMPの構成材料
   (2) CMPの研磨方式
   (3) CMPの加工メカニズム
  2−5−2 CMPパッドの製品展開と開発動向
   (1) CMPパッドの機能と要求特性
   (2) CMPパッドの表面加工
   (3) CMPパッドの種類と構造
   (4) スラリーフリーCMPとパッド
   (5) CMPパッドのコンディショナ
  2−5−3 CMPスラリーの製品と開発状況
   (1) CMPスラリーの要求性能
   (2) 砥粒の種類と用途
   (3) スラリーの開発動向
 2−6 半導体開発と研磨の技術開発
  2−6−1 EUV露光とフォトマスク基板
  2−6−2 パワー半導体のウエハ基板
   (1) SiC・GaNデバイスの構造
   (2) SiC・GaNウエハ研磨の製品開発
  2−6−3 研磨の高性能化と材料開発
   (1) 砥粒内包研磨パッド(ノリタケ)
   (2) SiC用ジルコニアナノ粒子(第一稀元素化学)
3. 半導体製造の超精密研磨
 3−1 半導体の製造プロセスと研磨工程
  3−1−1 半導体の製造工程(前工程、後工程)
  3−1−2 半導体製造の研磨加工
    @マスクブランクス Aデバイス
    Bウエハ Cウエハ裏面 Dパッケージ
 3−2 マスクブランクスの研磨と技術開発
  3−2−1 フォトマスクの最新動向
   (1) フォトリソグラフィの工程
   (2) 配線の微細化と極端紫外線(EUV)露光
   (3) EUV露光用マスクブランクスの要求精度
  3−2−2 フォトマスク用ガラス基板の研磨技術
  3−2−3 マスクブランクスのメーカー動向
   (1) フォトマスクの内製市場と外販市場
   (2) マスクブランクスのメーカー動向
    @HOYA AAGC B信越化学工業
 3−3 ウエハの製造工程と研磨加工
  3−3−1 シリコンウエハの研磨技術
   (1) シリコンウエハの製造プロセス
    @スライシング Aべべリング(面取り)
    B平坦化 C鏡面化 Dその他
   (2) シリコンウエハの研磨プロセスと課題
    @ラッピング Aエッチング Bポリシング、他
   (3) シリコンウエハのベベル研磨
  3−3−2 SiCウエハ研磨の課題と技術開発
   (1) SiCインゴットのスライシング
   (2) SiCウエハ研磨の課題と製品開発
   (3) イオンビーム照射による脆化と研磨高速化
   (4) SiCラッピングの研磨能率向上
  3−3−3 GaNウエハ研磨の製品開発
   (1) GaNウエハ研磨の課題
   (2) ウエハ研磨の技術・製品開発
 3−4 半導体デバイス製造とCMP技術
  3−4−1 CMPの基本構成と加工技術
  3−4−2 デバイス製造プロセスと各層の平坦化
   (1) 素子分離(STI−CMP)
   (2) 層間絶縁膜(ILD−CMP)
   (3) タングステンプラグ(W−CMP)
   (4) 銅ダマシン配線(Cu−CMP)
   (5) Low−k層間絶縁
  3−4−3 CMPの表面欠陥と課題
  3−4−4 シリコン貫通電極(TSV)の研磨技術
 3−5 回路形成後の研磨工程
  3−5−1 回路形成後の半導体製造プロセス
    @BG工程 ADC工程 BDB工程
  3−5−2 ウエハのバックグラインド研磨
  3−5−3 TSVのバックグラインド研磨
  3−5−4 工程用粘着テープの需要動向とメーカー
    @リンテック A三井化学ICTマテリアル
    B日東電工 Cレゾナック D古河電気工業
    E積水化学工業 F住友ベークライト、他
 3−6 先端パッケージの開発と基板研磨
  3−6−1 微細加工から後工程による高性能化
   (1) 先端パッケージの構造
   (2) EUV露光の課題
  3−6−2 次世代実装の技術開発と基板
   (1) パッケージ基板の大型化と材料転換
   (2) インターポーザの配線構造と材料
    @シリコン A有機材料 Bガラス
   (3) 角型基板の製品開発
   (4) 角型ガラスコア基板の平坦化
  3−6−3 各種基板の研磨技術
   (1) 角型ガラスコア基板の平坦化
   (2) RDLインターポーザの研磨
  3−6−4 パッケージング用CMPスラリーの開発
    @富士フイルム ATOPPAN
4. 超精密研磨材のマーケット動向
 4−1 世界の半導体用CMP市場
  4−1−1 世界のCMP市場規模と推移
   (1) 装置・消耗品の市場規模
   (2) 各種消耗品の市場規模
    @CMPスラリー ACMPパッド
    Bコンディショナ
  4−1−2 CMPプロセスのスラリー
    @Cuバルク ACuバリア BW CILD
    Dセリア EPoly−Si Fその他
  4−1−3 消耗品の需要量
    @スラリー(重量ベース) Aパッド(枚数ベース)
 4−2 日本の半導体用ポリシング・CMP市場
  4−2−1 半導体用パッド・スラリーの市場規模
    @ポリシングパッド ACMPパッド
    Bポリシングスラリー CCMPスラリー
    Dラッピングスラリー Eその他
  4−2−2 研磨パッドの需要量(面積ベース)
    @ポリシングパッド ACMPパッド
 4−3 世界のCMPパッド・スラリーメーカー
  4−3−1 CMPパッドのメーカー動向
    @デュポン社 AIVテクノロジーズ社
    Bインテグリス社 Cハイアンドカンパニー社、他
  4−3−2 CMPスラリーのメーカー動向
    @インテグリス社 A富士フイルム
    Bフジミイン Cレゾナック Dその他
 4−4 日本のパッド・スラリーメーカー
  4−4−1 研磨パッドのメーカー別動向
    @フジボウ愛媛 Aニッタ・デュポン
    B東レコーテックス CFILWEL
    Dクラレ E九重電気 FMipox
  4−4−2 研磨スラリーのメーカー動向
    @フジミインコーポレーテッド
    A富士フイルム Bレゾナック CAGC
    

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